Name: Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (in Italian)
Price: 919.00 ZAR
Availability: InStock
Author: Kaschieva, Sonia ; Dmitriev, Sergey N.
ISBN: 9786200995759

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portada Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (in Italian)

Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (in Italian)

Type

Physical Book

Author

Sonia Kaschieva

Sergey N. Dmitriev

Publisher

Edizioni Sapienza

Language

Italian

Pages

172

Format

Paperback

Dimensions

22.9 x 15.2 x 1.0 cm

Weight

0.26 kg.

ISBN13

9786200995759

Synopsis "Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (in Italian)"

E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni MeV è stato osservato da AFM. Si + strutture Si-SiO2 impiantato ioni Si + impiantato strutture Si-SiO2 prima e dopo l'irradiazione di elettroni MeV sono presentati. La ridistribuzione di atomi di ossigeno e di silicio e la generazione di nanocristalli Si durante l'irradiazione di elettroni MeV è stata osservata da RBS / C e AFM tecniche rispettivamente. Proprietà ottiche, fotoluminescenza e studi spettroscopici di film di SiOx irradiati con elettroni MeV sono anche effettuati.

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